中芯国际将于年内完成 5nm 芯片开发 成本良率均远不及台积电
根据一份新报告，中芯国际将在 2025 年内完成其 5nm 芯片的开发。此前传言称，该公司公司在 2024 年上半年成功开发出 5nm 工艺，但依旧面临众多技术障碍。中芯国际将使用较旧的 DUV 设备达到其 5nm 制程工艺目标，但中芯国际的晶圆价格将比台积电高出 50%，而制造工艺的良率仅为 33%。这是因为老一代的 DUV 设备虽然可以实现 7nm 工艺，但需要额外的步骤才能成功实现 5nm 工艺的光刻。目前尚不清楚中芯国际何时会量产 5nm 晶圆，但华为将利用这项技术生产其昇腾 910C 芯片。
—— wccftech
根据一份新报告，中芯国际将在 2025 年内完成其 5nm 芯片的开发。此前传言称，该公司公司在 2024 年上半年成功开发出 5nm 工艺，但依旧面临众多技术障碍。中芯国际将使用较旧的 DUV 设备达到其 5nm 制程工艺目标，但中芯国际的晶圆价格将比台积电高出 50%，而制造工艺的良率仅为 33%。这是因为老一代的 DUV 设备虽然可以实现 7nm 工艺，但需要额外的步骤才能成功实现 5nm 工艺的光刻。目前尚不清楚中芯国际何时会量产 5nm 晶圆，但华为将利用这项技术生产其昇腾 910C 芯片。
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