前三星研究员因向中方泄露芯片技术被起诉

一名前三星电子研究员涉嫌向中方泄露芯片核心技术，韩国检方对其进行逮捕起诉。首尔中央地方检察厅情报技术犯罪侦查部周五表示，以违反《产业技术保护法》等罪名对曾经从三星跳槽至中国长鑫存储技术有限公司的研究员全某予以逮捕起诉。根据韩国检方指控，全某非法获取并使用了三星电子斥资约1.6万亿韩元研发的动态随机存取存储器(DRAM)核心工艺技术。调查显示，全某与前三星电子部门主管金某一同跳槽至长鑫后为长鑫牵头制定了非法转移三星核心技术、挖角关键技术人才的DRAM芯片研发计划。

—— 韩联社