阿斯麦正式宣布下一代 Hyper-NA 光刻机路线图
全球唯一EUV光刻机供应商ASML在SPIE EUVL 2026大会上公布了最新技术路线图。目前，0.55 数值孔径的 High-NA 光刻机正迅速迈向大规模量产阶段，处理能力达175片/小时的 1000W 升级版 EXE:5200B 也已于2025年第四季度交付客户。截至2025年12月，业界已成功生产了50万片 High-NA 晶圆，这表明该技术在代工厂的生产认证和量产准备工作上已取得显著的阶段性成果。在着眼于更长远的技术路线图上，ASML 已将目光投向了数值孔径大于0.75的“Hyper-NA”技术，预计将在2033年左右实现量产，以支持 A7 (等效0.7nm)节点之后的进一步微缩。Hyper-NA 计划沿用现有 High-NA 的高性能平台，因此无需大幅增加光学元件的体积。尽管新设备的初期成本无疑将十分昂贵，但其能够进一步减少单次曝光的掩膜步骤并降低能耗，确保半导体行业在未来的持续微缩与发展。
—— wccf tech
全球唯一EUV光刻机供应商ASML在SPIE EUVL 2026大会上公布了最新技术路线图。目前，0.55 数值孔径的 High-NA 光刻机正迅速迈向大规模量产阶段，处理能力达175片/小时的 1000W 升级版 EXE:5200B 也已于2025年第四季度交付客户。截至2025年12月，业界已成功生产了50万片 High-NA 晶圆，这表明该技术在代工厂的生产认证和量产准备工作上已取得显著的阶段性成果。在着眼于更长远的技术路线图上，ASML 已将目光投向了数值孔径大于0.75的“Hyper-NA”技术，预计将在2033年左右实现量产，以支持 A7 (等效0.7nm)节点之后的进一步微缩。Hyper-NA 计划沿用现有 High-NA 的高性能平台，因此无需大幅增加光学元件的体积。尽管新设备的初期成本无疑将十分昂贵，但其能够进一步减少单次曝光的掩膜步骤并降低能耗，确保半导体行业在未来的持续微缩与发展。
—— wccf tech
