闪迪的3D堆叠专利 揭示闪存算力一体化趋势

闪迪披露的一项专利显示，其正探索一个新的3D堆叠方案，将NAND闪存集成到芯片内部，以缓解当前 HBM 供应紧张、容量受限及延迟等问题。其核心思路是，基于CBA技术，直接在主计算芯片下方集成NAND存储单元，该计算芯片可以是GPU或AI处理器，同时在同一中介层上继续配置HBM堆栈，让HBM与NAND二者分工协作——HBM负责需要即时响应的数据处理，NAND则承担读写操作，及大模型、海量数据集存储任务。这种方案试图结合HBM的高带宽与NAND的大容量、低成本优势，并通过近距离宽通道互联，改善数据传输效率，同时降低成本和功耗压力。

—— 科创板日报